더지엠뉴스 조익철 기자 | AI 가속기 핵심 부품인 HBM4E 시장에서 삼성전자와 SK하이닉스의 샘플 공급 경쟁이 예상보다 빨라지고 있다. 고객사 인증 시점을 앞당기는 기업이 내년 양산 시장의 주도권을 먼저 확보할 가능성이 커지면서 업계 경쟁도 한층 치열해졌다.

14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 주요 고객사에 HBM4E 샘플을 이르면 6월부터 공급하는 방안을 추진 중이다. 당초 1분기 실적 발표 당시 하반기 샘플 제공 계획을 밝혔지만 일정을 앞당기면서 시장 선점에 속도를 내는 모습이다.

HBM4E는 7세대 고대역폭 메모리로 AI 학습과 추론 성능을 좌우하는 핵심 부품이다. 특히 엔비디아의 차세대 AI 가속기 '루빈 울트라(Rubin Ultra)'에 적용될 가능성이 거론되면서 글로벌 관심이 집중되고 있다.

삼성전자는 이미 5월 29일 주요 글로벌 고객사에 업계 최초로 12단 48GB HBM4E 샘플을 공급했다고 발표하며 먼저 움직였다. 초기 평가와 최적화 과정을 거친 뒤 고객 일정에 맞춰 양산에 들어간다는 계획이다.

SK하이닉스는 HBM4E 핵심 칩에 1c 나노 공정을 적용하고, 베이스 다이는 TSMC의 3나노 공정으로 생산할 예정이다. 최태원 SK그룹 회장은 타이베이 컴퓨텍스 행사에서 "고객이 준비되면 언제든 공급할 준비가 돼 있다"고 밝힌 바 있다. 현재 HBM4E 고객은 한 곳이라고도 언급했다.

업계에서는 샘플 공급 시기가 실제 양산 경쟁력으로 직결된다고 보고 있다. 차세대 HBM은 고객 요구에 맞춘 맞춤형 제품인 만큼 성능 검증과 시스템 최적화를 먼저 끝낸 기업이 대량 공급 계약에서도 유리한 위치를 차지할 가능성이 높기 때문이다.

엔비디아 최고경영자 젠슨 황도 지난 2일 타이베이 국제컴퓨터전에서 SK하이닉스 전시관을 찾아 HBM4E 웨이퍼에 "더 많이 생산해 달라"는 메시지를 남기며 높은 관심을 드러냈다.

한편 미국 마이크론도 HBM4 개발을 순조롭게 진행 중이며 HBM4E는 2027년 양산을 목표로 하고 있다. 10나노급 6세대 1γ 공정과 EUV 노광 장비를 처음 적용하고, 베이스 다이는 TSMC에 위탁 생산할 계획이다.

시장조사업체 트렌드포스는 주요 HBM 공급사들이 이제 수율 경쟁보다 가격 결정력과 차세대 규격 선점 경쟁으로 무게중심을 옮기고 있다고 분석했다. 일반 DDR과 소비자용 메모리 가격은 이미 상당 부분 상승했지만 HBM은 장기 계약 가격 인상 여력이 아직 충분하다는 평가도 나오고 있다.