더지엠뉴스 이남희 기자 | 중국 최대 D램(DRAM) 기업 창신메모리(CXMT)가 상장 첫날 시가총액 약 660조원을 기록하며 A주 시가총액 1위에 올랐다. 중국 정부와 국유자본, 반도체 기업, 빅테크가 대거 참여한 초대형 기업공개(IPO)는 중국 메모리 반도체 산업의 경쟁력을 한 단계 끌어올리는 계기가 됐다는 평가가 나온다.
27일 중국 증권시장에 따르면, 창신메모리는 상하이증권거래소 커촹반 상장 첫 거래에서 공모가보다 471% 높은 가격으로 거래를 시작했다. 장중 시가총액은 3조3100억위안(약 660조원)까지 불어나 중국공상은행을 제치고 A주 시가총액 1위에 올랐다. 커촹반 신규 상장 종목은 상장 후 5거래일 동안 가격제한폭이 적용되지 않아 시장 수급에 따라 주가가 결정된다.
창신메모리는 중국 최대 규모의 D램 연구·설계·생산 일체형 기업이다. 서버와 AI 데이터센터, 스마트폰, PC, 자동차용 메모리까지 제품군을 확보했으며 연구개발부터 생산, 판매까지 전 과정을 자체적으로 수행하는 체계를 구축했다.
창신메모리는 최대주주나 실질적인 지배주주가 없다. 상장 전 주요 주주는 허페이 국유자산 계열인 칭후이지뎬과 창신집성, 국가반도체산업투자기금 2기, 허페이지신, 안후이성투자그룹으로 대부분 국유자본이 차지했다. 국가 구조조정기금과 중국건재신소재기금 등 국가 전략산업 투자기관도 주요 주주 명단에 포함됐다.
중국 국유기업 구조조정기금은 지난 5년 동안 두 차례 창신메모리에 투자했다. 기금 측은 반도체 공급망 자립을 위한 핵심 투자 사례라고 소개하며 앞으로도 장기자본과 전략자본 역할을 이어갈 계획이라고 밝혔다.
중국 메모리 설계기업 자오이촹신을 비롯해 샤오미, 알리바바, 메이디그룹 투자회사 등이 주주로 이름을 올렸고 자오상캐피털, 쥔롄캐피털, 윈펑펀드, 첸하이모펀드 등 중국 대표 투자기관도 함께 투자했다.
반도체 장비기업 베이팡화촹, 중웨이공사, 퉈징커지, 안지커지, 화하이칭커, 퉁푸웨이뎬, 이탕주식, 후구이산업은 각각 1824만 주, 1억5800만위안(약 316억원) 규모를 배정받았다. 하류 고객사인 샤오미, TCL, 화친기술, 촨인커지, 알리윈, 중싱통신, 콰이쇼우, 니오, 치루이자동차도 같은 규모로 전략 투자에 참여했다.
창신메모리를 중심으로 한 공급망도 대부분 중국 기업으로 구성됐다. 베이팡화촹는 식각·박막증착·열처리·세정 장비를 공급하고 있으며 중웨이공사는 플라즈마 식각장비와 박막증착장비를 공급한다. 화하이칭커의 CMP 장비와 퉈징커지의 PECVD·ALD 장비, 성메이상하이의 세정장비, 즈춘커지의 습식장비도 핵심 생산라인에 투입됐다.
소재 분야에서는 야커커지가 첨단 D램 공정용 전구체를 공급하고 있으며 광강가스와 진훙가스가 특수가스를 공급한다. 포토레지스트는 퉁청신재와 징루이전자재료가 공급망에 포함됐다.
창신메모리는 현재 1세대부터 4세대 공정 플랫폼까지 양산을 완료했다. DDR4, DDR5, LPDDR4X, LPDDR5, LPDDR5X 제품군을 모두 확보했으며 알리윈, 텐센트, 바이트댄스, 레노버, 샤오미, 아너, OPPO, vivo, 촨인 등 중국 주요 정보기술 기업에 메모리를 공급하고 있다.
허페이와 베이징에는 모두 3개의 12인치 D램 웨이퍼 공장을 운영하고 있다. 시장조사업체 옴디아(Omdia)에 따르면 2025년 4분기 D램 매출 기준 창신메모리는 중국 1위, 세계 4위 업체로 올라섰으며 세계 시장점유율은 7.67%를 기록했다. 삼성전자는 33.96%, SK하이닉스는 34.48%, 마이크론은 23.41%를 차지했다.
올해 1분기 매출은 508억위안(약 10조2000억원)으로 전년 동기 대비 719.13% 증가했다. 순이익은 247억6200만위안(약 5조원)을 기록했다. 올해 상반기 예상 매출은 1100억~1200억위안(약 22조1000억~24조1000억원), 순이익은 660억~750억위안(약 13조3000억~15조1000억원), 지배주주 순이익은 500억~570억위안(약 10조~11조5000억원)으로 제시했다.
이번 상장을 통해 확보한 295억위안(약 5조9000억원)은 생산라인 개조에 75억위안(약 1조5000억원), 차세대 D램 기술 개발에 130억위안(약 2조6000억원), 미래 메모리 기술 연구개발에 90억위안(약 1조8000억원)을 각각 투입할 예정이다.
